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  • 學報動態“寬禁帶半導體功率器件封裝集成與可靠性”專題 征稿啟事
    2024-05-22 來源:  |  點擊率:
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    導語隨著“雙碳”進程加快和能源轉型深化,能源行業在未來很長一段時間將向著清潔低碳方向發展,為了滿足新形勢下經濟社會發展的要求,風能、太陽能等新能源發電會成為電量主體。這些清潔能源的并網、傳輸和利用等相關環節對于未來充分高效利用清潔能源至關重要,而電力電子裝備是未來實現清潔能源并網及高效傳輸及利用的關鍵。對于電力電子裝備來說,功率半導體芯片經過封裝集成形成的電力電子器件是其核心,因此,研究開發高性能的電力電子器件將成為推動能源轉型的基礎和關鍵。近年來,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體迅速發展,基于寬禁帶功率半導體芯片的功率半導體器件較傳統硅功率半導體器件有望具備高頻、高壓、高效及耐高溫的優勢,但現有的封裝集成技術仍然沿用傳統硅電力電子器件的封裝技術,這些傳統封裝技術引入的寄生電感較大,且散熱能力不足,導致寬禁帶功率半導體器件無法真正發揮其優勢,已經成為制約整個產業發展的技術瓶頸。同時,寬禁帶功率半導體器件開關速度較高的特性使得部分寄生參數無法忽略,其理論模型相較傳統硅器件需要進行革新,此外,其失效機理以及可靠性優化理論也有待進一步完善。因此,結合寬禁帶功率半導體器件從理論走向大規模應用過程中所面臨的技術難題,掌握其客觀演變規律,研究在不同應用場景下建模與可靠性優化的新理論、新方法與新技術,以提升寬禁帶功率半導體器件性能與可靠性,已成為國內外專家、學者和工程人員共同關注的焦點。 面向“雙碳目標”國家戰略的持續需求,在新能源發電、電氣化交通等新興應用領域,對變流器的效率、功率密度、可靠性提出了越來越高的要求。以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體功率器件,具有高頻、高效、高壓及耐高溫等優異性能,可以有效降低變流器的功率損耗和體積重量。然而,相對于傳統硅功率器件,寬禁帶半導體功率器件具有更高的開關速度、熱流密度、楊氏模量,導致其長期面臨寄生效應重、結殼熱阻大、預期壽命短、可靠性差等關鍵技術難題,在高功率密度封裝集成與可靠性方面面臨嚴峻挑戰。因此,寬禁帶半導體功率器件突破了傳統硅器件的技術邊界,如何構建與之匹配的封裝集成與可靠運行方法,已成為國內外專家、學者和工程師共同關注的焦點。

           為了促進寬禁帶半導體功率器件規模化、標準化工程應用的發展,進一步繁榮學術交流、推進技術進步、共享科研成果,《電工技術學報》編輯部特邀西安交通大學王來利教授、海軍工程大學肖飛教授、重慶大學冉立教授、中國科學院電工研究所寧圃奇研究員、天津工業大學梅云輝教授、華中科技大學王智強教授、合肥工業大學李賀龍教授、重慶大學曾正教授、華北電力大學趙志斌教授和浙江大學羅皓澤教授作為客座主編,主持“寬禁帶半導體功率器件封裝集成與可靠性”專題,特向國內外此領域的專家、學者征稿。

    一、專題征稿范圍(包括但不限于)

        1)寬禁帶半導體功率器件的多物理場建模與測試表征

        2)寬禁帶半導體功率器件的先進互連與封裝結構

        3)寬禁帶半導體功率器件的高壓/高溫/大容量封裝集成方法

        4)寬禁帶半導體功率器件的壽命模型與剩余壽命預測 

        5)寬禁帶半導體功率器件的特征參量表征與檢測 

        6)寬禁帶半導體功率器件的可靠性設計與健康管理

        7)人工智能在寬禁帶功率半導體器件設計與優化中的應用

        8)寬禁帶半導體功率器件封裝關鍵材料及其制備

        9)基于寬禁帶功率半導體器件的電力電子模塊集成方法

        10)寬禁帶功率半導體器件的驅動、保護與控制方法

        11)寬禁帶功率半導體器件電磁噪聲產生機理與抑制方法

        12)寬禁帶功率半導體器件在電能變換中的應用

    二、征稿要求

        1. 高質量的綜述,要求詳細介紹國內外研究背景,對其他研究者的現有工作及自己的研究思路有較全面的陳述和較深入的討論;

        2. 研究論文,要求設計和方法敘述清晰(包括理論計算、數值模擬、實驗仿真等);

        3. 重點突出,論述嚴謹,文字簡練,避免長篇公式推導;

        4. 來稿請用word排版,格式參考《電工技術學報》網站投稿指南http://m.designweb.com.cn/html1/folder/1712/983-1.htm模板。

    三、重要日期

          投稿截止日期:2024年11月30日

          預計刊出時間:2025年3/4月

    四、投稿方式

           請登錄《電工技術學報》官網http://m.designweb.com.cn投稿,稿件類型或者投稿欄目選擇“寬禁帶半導體功率器件封裝集成與可靠性”專題。真誠歡迎國內外相關領域的專家學者以及國家級科研計劃承擔單位踴躍投稿!

    五、客座主編

    王來利  教授         西安交通大學         E-mail:llwang@mail.xjtu.edu.cn

    肖  飛  教授         海軍工程大學          E-mail:xfeyninger@qq.com

    冉  立  教授         重慶大學                 E-mail:li.ran@cqu.edu.cn

    寧圃奇  研究員     中國科學院電工研究所         E-mail:npq@mail.iee.ac.cn

    梅云輝  教授         天津工業大學         E-mail:meiyunhui@163.com

    王智強  教授         華中科技大學         E-mail:zhiqiangwang@hust.edu.cn

    李賀龍  教授         合肥工業大學         E-mail:helong.li@hfut.edu.cn

    曾  正  教授         重慶大學                 E-mail:zengerzheng@cqu.edu.cn

    趙志斌  教授         華北電力大學         E-mail:zhibinzhao@ncepu.edu.cn

    羅皓澤  教授         浙江大學                E-mail:haozeluo@zju.edu.cn

     

    編輯部聯系人:  陳  誠   010-63256981  dgjsxb_cc@126.com     郭麗軍  010-63256949  glijun@126.com

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